與PN結器件相比，碳化硅二極管更像是一種理想的開關。肖特基二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢復電荷(Qrr)和恢復軟化系數(shù)。當二極管電壓變?yōu)榉聪蚱脮r，低Qrr大大縮短了關斷過程所需的時間，即反向恢復時間trr。碳化硅二極管trr小于0.01微秒。它便于在高頻范圍內使用。一些數(shù)據(jù)顯示，它的工作頻率可以達到1兆赫(一些報告也顯示，它可以達到100千兆赫)。高軟化系數(shù)將減少二極管關斷產(chǎn)生的電磁干擾噪聲，并減少換向操作干擾。碳化硅二極管還具有優(yōu)于PN結器件的優(yōu)勢，因為它們具有低正向導通電壓和低導通損耗。

　　碳化硅二極管是一種由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成的金屬半導體器件。)A作為正電極，N型半導體B作為負電極，并且使用在兩者的接觸表面上形成的阻擋層來具有整流特性。因為在N型半導體中有大量的電子，而在貴金屬中只有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著電子繼續(xù)從B擴散到A，B表面上的電子濃度逐漸降低，表面的電中性被破壞，從而形成電場方向為B A的勢壘。然而，在該電場的作用下，A中的電子也將產(chǎn)生從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定寬度的空間電荷區(qū)時，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。

　　典型的碳化硅二極管的內部電路結構基于N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料制成，以形成阻擋層。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區(qū)域的電場并提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導通電阻，并且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下面形成一個氮陰極層，以降低陰極的接觸電阻。通過調整結構參數(shù)，在N型襯底和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，并且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，并且其內部電阻變得更小。另一方面，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，并且其內部電阻變大。

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