碳化硅MOS產(chǎn)品的優(yōu)異特性，使其成為電力傳輸系統(tǒng)、變頻器、逆變器、電機(jī)控制器等領(lǐng)域的理想選擇。選擇碳化硅MOS產(chǎn)品，不僅可以保證高效、可靠的電力傳輸，還可以實(shí)現(xiàn)更加環(huán)保、節(jié)能的生產(chǎn)方式。
2024-11-29維安熔斷器的高性能與高可靠性來(lái)源于對(duì)熔體設(shè)計(jì)的精益求精、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)纳a(chǎn)工藝控制以及對(duì)溫升與功耗平衡的深入研究。
2024-11-25維安可提供2.5V 和1.24V兩種規(guī)格電壓基準(zhǔn)源產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品同時(shí)開發(fā)有車規(guī)級(jí)應(yīng)用和工規(guī)級(jí)應(yīng)用，其中車規(guī)級(jí)別產(chǎn)品均符合汽車AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)，工業(yè)級(jí)產(chǎn)品可在-40~125℃環(huán)境溫度下工作，..
2024-11-25維安會(huì)結(jié)合客戶應(yīng)用開發(fā)更多的VDMOS新規(guī)格、新封裝；比如高壓300V，400V快恢復(fù)系列等規(guī)格。為客戶提供更多選擇，以在高性能效率轉(zhuǎn)換、高可靠應(yīng)用場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)效率、功率密度和可靠性的最佳組合。
2024-11-19揚(yáng)杰科技的IGBT模塊產(chǎn)品系列豐富，主要包括：中低頻系列C3模塊，高頻系列模塊C1,C2封裝。變頻器系列模塊：涵蓋C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3。
2024-11-19超結(jié)MOS管用于功率因數(shù)校正（PFC）和光伏逆變器時(shí)，工作頻率通常在 65 kHz - 150 kHz。在高頻拓?fù)洌ㄈ鏛LC諧振變換器）中，可能會(huì)超過(guò) 1 MHz。
2024-11-19IGBT的工作頻率是一個(gè)復(fù)雜的參數(shù)，受到多種因素的影響。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體需求和條件選擇合適的IGBT工作頻率范圍，以最大程度地發(fā)揮器件的性能優(yōu)勢(shì)。
2024-11-19碳化硅 (SiC) 二極管是寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有高耐壓、低損耗、高效率等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅二極管的選項(xiàng)和應(yīng)用注意這些事項(xiàng)。
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