中國大陸的超結(jié)MOSFET市場有多家廠商參與，各品牌在技術(shù)能力、產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和市場定位上各具特色。華潤微、士蘭微等品牌在國內(nèi)市場具備廣泛的影響力，具有成熟的產(chǎn)品線，而揚(yáng)杰科技、聞泰科技等在特定應(yīng)用領(lǐng)域也有其獨(dú)特..
2024-09-24碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導(dǎo)通損耗、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子器件中。其制備過程主要涉及碳化硅材料的生長、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，在高效能電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)了高電流開關(guān)和低損耗操作。
2024-09-18國產(chǎn)溝槽型碳化硅MOSFET正式問世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術(shù)的突破不僅填補(bǔ)了我國在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，更為相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益和技術(shù)提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結(jié)MOS（Super Junction MOSFET）產(chǎn)品中的099內(nèi)阻與070，038內(nèi)阻型號已實現(xiàn)大量出貨，標(biāo)志著美瑞在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的夯實一步。
2024-09-09本文為您介紹超結(jié)MOSFET的生產(chǎn)工藝，和應(yīng)用。超結(jié)MOS作為一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體器件技術(shù)，通過其獨(dú)特的超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計，在降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)速度、減小芯片體積、降低發(fā)熱和提升效率等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
2024-09-07電源EMI是電子產(chǎn)品設(shè)計和使用中必須考慮的重要因素之一。通過采取有效的抑制措施和合理的設(shè)計方法，可以顯著降低電源EMI對電子設(shè)備和系統(tǒng)的影響，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-09-07900V MOSFET在高壓、高效率的應(yīng)用中具有廣泛的用途，尤其適合工業(yè)電源、光伏逆變器、電動汽車充電器和LED驅(qū)動等領(lǐng)域。
2024-09-05Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：sxtjxx.com
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號版權(quán)所有 模仿必究
