整流橋堆產(chǎn)品是由四只整流硅芯片作橋式連接，外用絕緣塑料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱。整流橋品種多：有扁形、圓形、方形、板凳形（分直插與貼片）等，有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。最大整流電..
2021-02-23半導(dǎo)體封測(cè)大廠日月光投控受惠接單暢旺，業(yè)內(nèi)人士指出訂單能見度已經(jīng)看到第3季，預(yù)估今年獲利可超過新臺(tái)幣300億元?jiǎng)?chuàng)新高。蘋果5G版iPhone出貨強(qiáng)勁，日月光投控持續(xù)受惠相關(guān)芯片封測(cè)和芯片模組系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）..
2021-02-03目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體受到廣泛的關(guān)注，人們對(duì)SiC在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場(chǎng)合，以及GaN在快充領(lǐng)域的應(yīng)用前景寄予厚望，學(xué)術(shù)界、投資界和產(chǎn)業(yè)界都認(rèn)可其將..
2021-02-03虹揚(yáng)推出39A650V，70A650VN溝道MOSFET
2021-01-19虹揚(yáng)一級(jí)代理商：東莞市美瑞電子有限公司為您介紹橋堆：全橋由四只二極管組成，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“負(fù)極”。貼片橋堆的推出背景：隨..
2021-01-04一、mos雪崩失效分析(電壓故障) 什么是mos雪崩失效？簡(jiǎn)而言之，雪崩故障(電壓故障)，即我們常說的泄漏源之間的BVdss電壓超過mos的額定電壓，超過一定的能力，mos故障。mos在電源板上由母線電壓..
2020-12-26為支持園區(qū)重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)，2018年，和懋半導(dǎo)體（四川）有限公司（統(tǒng)懋半導(dǎo)體四川生產(chǎn)公司）與遂寧經(jīng)開區(qū)光電產(chǎn)業(yè)園園區(qū)簽訂搬遷協(xié)議，整廠搬遷至西寧片區(qū)臺(tái)商工業(yè)園，并投資新項(xiàng)目。2020年2月8日，該項(xiàng)目正式進(jìn)場(chǎng)施工..
2020-12-23mos管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但在一般運(yùn)用中，飽和泄漏電流IDSS切斷電壓Up，打開電壓UT、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、極限消耗散功率PDSM和極限泄漏源電流IDSM。 一、..
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