MOSFET作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的核心元件，具有廣泛的應用領(lǐng)域和重要的技術(shù)價值。隨著技術(shù)的不斷進步，MOSFET的性能將不斷提高，為電子設(shè)備的智能化、小型化和高效化提供有力支持。
2024-08-15平面MOS，VDMOS，即垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種重要的功率半導體器件。廣泛應用于照明、充電器適配器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
2024-08-15上海維安電子有限公司的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品以其卓越的性能和廣泛的應用領(lǐng)域，在功率半導體行業(yè)中占據(jù)了重要地位。
2024-08-15Semihow超結(jié)MOSFET通過多層外延工藝和內(nèi)置ESD保護二極管等先進技術(shù)，有效改善了EMI問題。這種器件在高壓、大功率應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，不僅提高了產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性，還滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對電磁兼容性的..
2024-08-15居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領(lǐng)導地位。
2024-08-09銳駿半導體后續(xù)封測產(chǎn)能將會以海口綜保區(qū)封測基地為主，目前正在將深圳寶安封測基地部分設(shè)備搬運過來，產(chǎn)線規(guī)劃作出戰(zhàn)略調(diào)整，這就導致日前網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)銳駿半導體停工停產(chǎn)傳言，實際上公司業(yè)務都是正常運轉(zhuǎn)。
2024-08-01三相整流橋堆內(nèi)置6顆芯片，電流檔包含15A、25A、35A、50A，電壓覆蓋600V-1600V，具有正向壓降低、反向漏電流小、浪涌能力強等特點。
2024-07-23揚杰科技3GBJ三相插件整流橋堆發(fā)布，DG15NA120，DG25NA120，DG35NA120，DG50NA120，揚杰深度IDM模式，自有晶圓設(shè)計及制造工廠，內(nèi)部封裝Photo Glass工藝芯片，三層鈍化..
2024-07-22Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：sxtjxx.com
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號版權(quán)所有 模仿必究
